MOSFET 2 canal N Double Vishay 48 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET Gen IV Non

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Code commande RS:
200-6852
Référence fabricant:
SiZ240DT-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

48A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

TrenchFET Gen IV

Type de Boitier

PowerPAIR 3 x 3S

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00805Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15.2nC

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

33W

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

3.4mm

Normes/homologations

No

Longueur

3.4mm

Hauteur

0.8mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Le Vishay SIZ240DT-T1-GE3 est un double transistor MOSFET 40 V (D-S) à canal N.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV

Etage de puissance demi-pont MOSFET intégré

Testé Rg et UIS à 100 %

Le rapport QGS/QGS optimisé améliore les caractéristiques de commutation

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