MOSFET P Vishay 18.3 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Gen IV
- Code commande RS:
- 200-6796
- Référence fabricant:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
585,00 €
HT
702,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,195 € | 585,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6796
- Référence fabricant:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4.8W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 41nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4.8W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 41nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay Si4425FDY-T1-GE3 est un transistor MOSFET canal P de 30 V (D-S).
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV à canal p
Testé à 100% pour la résistance de surface à sol
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