MOSFET canal N Vishay 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Gen IV
- Code commande RS:
- 200-6840
- Référence fabricant:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,738 € | 93,45 € |
| 50 - 100 | 3,028 € | 75,70 € |
| 125 - 225 | 2,804 € | 70,10 € |
| 250 + | 2,618 € | 65,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6840
- Référence fabricant:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 204nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 610μm | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 204nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 610μm | ||
Largeur 5.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay Sidr638DP-T1-RE3 est un transistor MOSFET 40 V (D-S) à canal N.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Très faible facteur de mérite RDS - Qg (FOM)
Réglé pour le plus faible facteur de mérite RDS - Qoss
La fonction de refroidissement par le haut offre un emplacement supplémentaire de transfert thermique
Testé Rg et UIS à 100 %
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