MOSFET canal N Vishay 65.8 A 100 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET Gen IV
- Code commande RS:
- 200-6865
- Référence fabricant:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
41,45 €
HT
49,75 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 03 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,658 € | 41,45 € |
| 50 - 100 | 1,411 € | 35,28 € |
| 125 - 225 | 1,244 € | 31,10 € |
| 250 - 600 | 1,079 € | 26,98 € |
| 625 + | 0,994 € | 24,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6865
- Référence fabricant:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 65.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83.3W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Hauteur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 65.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83.3W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.15mm | ||
Largeur 5.15mm | ||
Hauteur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SiR106ADP-T1-RE3 est un transistor MOSFET 100 V (D-S) à canal N.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Très faible facteur de mérite RDS - Qg (FOM)
Réglé pour le plus faible facteur de mérite RDS - Qoss
Testé Rg et UIS à 100 %
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Vishay 65.8 A 100 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Gen IV
- MOSFET canal N Vishay 110 A 45 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Gen IV
- MOSFET canal N Vishay 81 A 100 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Gen IV
- MOSFET canal N Vishay 100 A 40 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Gen IV
- MOSFET P Vishay 18.3 A 30 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Gen IV
- MOSFET canal N Vishay 11 A 45 V Enrichissement SO-8 TrenchFET Gen IV
- MOSFET canal N Vishay 40 A 30 V PowerPAK 1212-8 TrenchFET Gen IV Non
- MOSFET canal N Vishay 108 A 45 V Enrichissement PowerPAK 1212 TrenchFET Gen IV