MOSFET 2 canal N Double Vishay 48 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET Gen IV Non
- Code commande RS:
- 200-6853
- Référence fabricant:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,423 € | 35,58 € |
| 50 - 100 | 1,196 € | 29,90 € |
| 125 - 225 | 1,14 € | 28,50 € |
| 250 - 600 | 1,067 € | 26,68 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6853
- Référence fabricant:
- SiZ240DT-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 48A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | TrenchFET Gen IV | |
| Type de Boitier | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.00805Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15.2nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 33W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 0.8mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 48A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série TrenchFET Gen IV | ||
Type de Boitier PowerPAIR 3 x 3S | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.00805Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15.2nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 33W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Largeur 3.4mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 0.8mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SIZ240DT-T1-GE3 est un double transistor MOSFET 40 V (D-S) à canal N.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
Etage de puissance demi-pont MOSFET intégré
Testé Rg et UIS à 100 %
Le rapport QGS/QGS optimisé améliore les caractéristiques de commutation
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