MOSFET onsemi canal N, A-220 24 A 650 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 178-4242
- Référence fabricant:
- FCP125N65S3R0
- Marque:
- onsemi
En stock à partir du 30/10/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (en tube de 50)
3,132 €
HT
3,758 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,132 € | 156,60 € |
| 100 - 200 | 2,515 € | 125,75 € |
| 250 - 450 | 2,365 € | 118,25 € |
| 500 - 950 | 2,233 € | 111,65 € |
| 1000 + | 1,948 € | 97,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4242
- Référence fabricant:
- FCP125N65S3R0
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus basses. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, la série de transistors MOSFET SUPERFET III Easy Drive permet de gérer les problèmes d'IEM et facilite l'implémentation de conception.
700 V @ TJ = 150 °C
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 439 pF)
Très faible charge de grille (typ. Qg = 46 nC)
Capacité optimisée
typ. RDS(on) = 105 mΩ
Résistance de grille interne : 0,5 Ω
Avantages :
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Faible perte de commutation
Faible perte de commutation
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Applications :
Informatique
Grand public
Industrie
Produits finis :
Ordinateur portable/ordinateur de bureau/console de jeux
Télécom/serveur
Téléviseurs LCD/LED
Eclairage/ballast à LED
Adaptateur
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 439 pF)
Très faible charge de grille (typ. Qg = 46 nC)
Capacité optimisée
typ. RDS(on) = 105 mΩ
Résistance de grille interne : 0,5 Ω
Avantages :
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Faible perte de commutation
Faible perte de commutation
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Applications :
Informatique
Grand public
Industrie
Produits finis :
Ordinateur portable/ordinateur de bureau/console de jeux
Télécom/serveur
Téléviseurs LCD/LED
Eclairage/ballast à LED
Adaptateur
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 24 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | A-220 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 125 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 181 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±30 V |
| Longueur | 10.67mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Largeur | 4.7mm |
| Tension directe de la diode | 1.2V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 16.3mm |
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