MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 24 A 650 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 195-2517
- Référence fabricant:
- NVB150N65S3F
- Marque:
- onsemi
580 En stock pour livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (en bobine de 800)
1,891 €
HT
2,269 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,891 € | 1 512,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 195-2517
- Référence fabricant:
- NVB150N65S3F
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus basses. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SUPERFET III est très adapté pour les différents systèmes d'alimentation pour la miniaturisation et un rendement plus élevé. Les performances de récupération inverse optimisées du transistor MOSFET SUPERFET III FRFET peuvent retirer des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système.
700 V @ TJ = 150 °C
Typ. RDS(on) = 114 m
Très faible charge de grille (typ. Qg = 33 nC)
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 345 pF)
Ces dispositifs sont sans plomb
Applications
Chargeur sur carte automobile
Convertisseur c.c./c.c. automobile pour HEV
Typ. RDS(on) = 114 m
Très faible charge de grille (typ. Qg = 33 nC)
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 345 pF)
Ces dispositifs sont sans plomb
Applications
Chargeur sur carte automobile
Convertisseur c.c./c.c. automobile pour HEV
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 24 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 150 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 3V |
| Dissipation de puissance maximum | 192 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±30 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Longueur | 10.67mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 9.65mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Tension directe de la diode | 1.3V |
| Hauteur | 4.58mm |
| Standard automobile | AEC-Q101 |
Nos clients ont également consulté
- MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 24 A 650 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, TDFN4 24 A 650 V, 8 broches
- MOSFET onsemi canal N, A-220 24 A 650 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, A-247 24 A 650 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, PQFN4 24 A 650 V, 4 broches
- MOSFET onsemi canal N, TO−220 FULLPAK 24 A 650 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, TO-220 FULLPAK 24 A 650 V, 3 broches
- MOSFET onsemi canal N, PQFN4 8 x 8 24 A 650 V, 4 broches