MOSFET canal N onsemi 62 A 650 V N, 7 broches, TO-263 SiC Power
- Code commande RS:
- 229-6443
- Référence fabricant:
- NTBG045N065SC1
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
5 414,40 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 6,768 € | 5 414,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-6443
- Référence fabricant:
- NTBG045N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SiC Power | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 242W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 105nC | |
| Tension directe Vf | 4.8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 9.4mm | |
| Longueur | 10.2mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SiC Power | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 242W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 105nC | ||
Tension directe Vf 4.8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 9.4mm | ||
Longueur 10.2mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor série SiC Power MOSFET utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille.
Rendement le plus élevé
Fréquence de fonctionnement plus rapide
Densité de puissance accrue
EMI réduite
Taille du système réduite
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