MOSFET canal N onsemi 62 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 PowerTrench

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Code commande RS:
166-2541
Référence fabricant:
FDB2614
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

62A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

TO-263

Série

PowerTrench

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

27mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

76nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

260W

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

11.33mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.83mm

Longueur

10.67mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, plus de 60 A, Fairchild Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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