MOSFET canal N onsemi 62 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 PowerTrench
- Code commande RS:
- 759-8967
- Référence fabricant:
- FDB2614
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 759-8967
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- FDB2614
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 27mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 76nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 260W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 11.33mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 27mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 76nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 260W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 11.33mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, plus de 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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