MOSFET et Diode canal N onsemi 24 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SUPERFET III
- Code commande RS:
- 205-2469
- Référence fabricant:
- FCB125N65S3
- Marque:
- onsemi
Pénurie d'approvisionnement
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- 205-2469
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- FCB125N65S3
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 24A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SUPERFET III | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 125mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 181W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 14.6mm | |
| Largeur | 9.6mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 24A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SUPERFET III | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 125mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 181W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 14.6mm | ||
Largeur 9.6mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET on Semiconductor série SUPERFET III à canal N est une famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie Advanced est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournit des performances de commutation supérieures et résiste à une vitesse dv/dt extrême.
La valeur nominale de courant de drain continu est de 24 A.
La résistance nominale de drain à source est de 125 Mohm
Très faible charge de grille
Faible énergie stockée dans la capacité de sortie
Testé à 100 % en avalanche
Le type de boîtier est D2-PAK
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