MOSFET Transistor & Diode onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 24 A 650 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 205-2470
- Référence fabricant:
- FCB125N65S3
- Marque:
- onsemi
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4,57 €
HT
5,48 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 4,57 € | 22,85 € |
| 10 - 95 | 3,854 € | 19,27 € |
| 100 - 245 | 3,404 € | 17,02 € |
| 250 - 495 | 3,318 € | 16,59 € |
| 500 + | 3,232 € | 16,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 205-2470
- Référence fabricant:
- FCB125N65S3
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET on Semiconductor série SUPERFET III à canal N est une famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie Advanced est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournit des performances de commutation supérieures et résiste à une vitesse dv/dt extrême.
La valeur nominale de courant de drain continu est de 24 A.
La résistance nominale de drain à source est de 125 Mohm
Très faible charge de grille
Faible énergie stockée dans la capacité de sortie
Testé à 100 % en avalanche
Le type de boîtier est D2-PAK
La résistance nominale de drain à source est de 125 Mohm
Très faible charge de grille
Faible énergie stockée dans la capacité de sortie
Testé à 100 % en avalanche
Le type de boîtier est D2-PAK
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 24 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Série | SUPERFET III |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 125 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4.5V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
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