MOSFET canal N onsemi 30 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263
- Code commande RS:
- 186-1271
- Référence fabricant:
- NTB110N65S3HF
- Marque:
- onsemi
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2 826,40 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,533 € | 2 826,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 186-1271
- Référence fabricant:
- NTB110N65S3HF
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 240W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 62nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 4.58mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 240W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 62nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 4.58mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Standard automobile Non | ||
Non conforme RoHS
Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus basses. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SUPERFET III est très adapté aux différents systèmes d'alimentation pour la miniaturisation et un rendement plus élevé. Les performances de récupération inverse optimisées du transistor MOSFET FRFET SUPERFET III de la diode de corps peuvent éliminer des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système.
700 V @ TJ = 150 °C
Très faible charge de grille (typ. QG = 62 nC)
Faible capacité de sortie effective (typ. COSS(eff.) = 522 pF)
Excellentes performances de la diode à corps (faible Qrr, diode à corps robuste)
Capacité optimisée
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Perte de commutation plus faible
Plus grande fiabilité du système dans le circuit de pont complet à décalage déphasé et LLC
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Applications
Télécommunication
Système Cloud
Industriel
Produits finis
Alimentation de télécommunication
Alimentation de serveur
Chargeur de véhicule électrique
Solaire/onduleur
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