MOSFET canal N onsemi 70 A 650 V Enrichissement, 7 broches, TO-263 NTB
- Code commande RS:
- 277-040
- Référence fabricant:
- NTBG023N065M3S
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 277-040
- Référence fabricant:
- NTBG023N065M3S
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | NTB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 263W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 69nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 15.4mm | |
| Longueur | 9.2mm | |
| Normes/homologations | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | |
| Largeur | 9.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série NTB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 263W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 69nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 15.4mm | ||
Longueur 9.2mm | ||
Normes/homologations RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection) | ||
Largeur 9.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Les MOSFET SiC d'ON Semiconductor sont optimisés pour les applications à commutation rapide. La technologie planaire fonctionne de manière fiable avec une commande de tension de grille négative et élimine les pics sur la grille. Les performances sont optimales lorsqu'il est piloté par une commande de porte de 18V, mais il fonctionne également bien avec une commande de porte de 15V.
Charge de grille ultra-faible
Commutation à grande vitesse avec une faible capacité
Testé à 100 % en avalanche
L'appareil est sans halogène et conforme à la directive RoHS
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