MOSFET canal N onsemi 30 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, TO-263 NTB
- Code commande RS:
- 205-2450
- Référence fabricant:
- NTBG080N120SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 205-2450
- Référence fabricant:
- NTBG080N120SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | NTB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 3.9V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.1mm | |
| Normes/homologations | This Device is Pb-Free and is RoHS | |
| Hauteur | 4.3mm | |
| Largeur | 9.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série NTB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 3.9V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.1mm | ||
Normes/homologations This Device is Pb-Free and is RoHS | ||
Hauteur 4.3mm | ||
Largeur 9.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) D2PAK-7L - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, D2PAK-7L
On Semiconductor en carbure de silicium (SiC), le transistor MOSFET à canal N utilise une technologie entièrement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille. Par conséquent, les avantages du système incluent un rendement plus élevé, une fréquence de fonctionnement faster, une plus grande densité de puissance, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.
Faible résistance de type 80Mohm
Température de jonction élevée
Très faible charge de grille
Faible capacité de sortie effective
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