MOSFET canal N onsemi 98 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, TO-263
- Code commande RS:
- 195-8970
- Référence fabricant:
- NVBG020N120SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 195-8970
- Référence fabricant:
- NVBG020N120SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 98 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 1.2 kV | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Résistance Drain Source maximum (Rds) | 0.028 Ω | |
| Type de montage | En surface | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 98 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 1.2 kV | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 7 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Résistance Drain Source maximum (Rds) 0.028 Ω | ||
Type de montage En surface | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK−7L
The On Semiconductor single N-channel silicon carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and Compact chip size ensure low capacitance and gate charge. It include highest efficiency, Faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Ultra low gate charge (typ. QG(tot) = 220nC)
Low effective output capacitance
100% avalanche tested
Qualified according to AEC−Q101
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