MOSFET canal N onsemi 98 A 1200 V Enrichissement, 7 broches, TO-263
- Code commande RS:
- 195-8970
- Référence fabricant:
- NVBG020N120SC1
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 195-8970
- Référence fabricant:
- NVBG020N120SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 98A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.028Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 98A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.028Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC), canal N - EliteSiC, 20 mohm, 1 200 V, M1, D2PAK−7L
Le transistor MOSFET carbure de silicium (SiC) à canal N unique d'On Semiconductor utilise une technologie entièrement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à la mise sous tension et la taille compacte de la puce garantissent une faible capacité et une faible charge de grille. Il inclut le plus haut rendement, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, des IEM réduites et une taille de système réduite.
Charge de grille ultra-faible (typ. QG(tot) = 220 nC)
Faible capacité de sortie efficace
100 % testé contre les avalanches
Qualifié conformément à la norme AEC-Q101
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal Type N onsemi 98 A 1200 V Enrichissement TO-263
- MOSFET N onsemi 30 A 1200 V Enrichissement TO-263 NTB
- MOSFET N onsemi 60 A 1200 V Enrichissement TO-263 NVB
- MOSFET N onsemi 60 A 1200 V Enrichissement TO-263 NTB
- MOSFET N onsemi 58 A 1200 V Enrichissement TO-263 NTB AEC-Q101
- MOSFET et Diode N onsemi 19.5 A 1200 V Enrichissement TO-263 NTB AEC-Q101
- MOSFET N ROHM 98 A 750 V Enrichissement TO-263
- MOSFET N ROHM 75 A 1200 V Enrichissement TO-263