Transistor MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 60 A 1200 V, 7 broches

Code commande RS:: 202-5731
Référence fabricant:: NVBG040N120SC1
Marque:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 60 A 1200 V, 7 broches

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Prix pour l'unité (par multiple de 2)

33,27 €

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Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 8	33,27 €	66,54 €
10 - 24	32,365 €	64,73 €
26 - 48	31,515 €	63,03 €
50 - 98	30,71 €	61,42 €
100 +	29,94 €	59,88 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 202-5731
Référence fabricant:: NVBG040N120SC1
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet - NVBG040N120SC1

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC), canal N - EliteSiC, 40 mohm, 1 200 V, M1, transistor MOSFET en carbure de silicium D2PAK−7L, canal N, 1 200 V, 40 mohm, D2PAK-7L

Le transistor MOSFET on Semiconductor Silicon Carbide Power fonctionne avec 60 A et 1 200 V. Il peut être utilisé dans les applications de chargeur intégré automobile, de convertisseur c.c. ou c.c.

Certifié AEC Q101
Processus d'approbation de pièce de production capable
Testé à 100 % en avalanche
Faible capacité de sortie effective

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	60 A
Tension Drain Source maximum	1200 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Série	NVB
Type de montage	CMS
Nombre de broches	7
Résistance Drain Source maximum	0,056 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4.3V
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	SiC