Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 PowerTrench

Code commande RS:: 809-0809
Référence fabricant:: FDB050AN06A0
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 80 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 PowerTrench

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

1,58 €

1,90 €

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*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 809-0809
Référence fabricant:: FDB050AN06A0
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	80A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-263
	Série	PowerTrench
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	11mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	245W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	61nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	4.83mm
	Longueur	10.67mm
	Largeur	9.65mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 80A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-263
	Série PowerTrench
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 11mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 245W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 61nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 4.83mm
	Longueur 10.67mm
	Largeur 9.65mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0, N-Channel PowerTrench MOSFET 60V 80A 5mOhm Data Sheet

Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, plus de 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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