MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 60 V, 3 broches

Code commande RS:: 809-0809
Référence fabricant:: FDB050AN06A0
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 60 V, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	80 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Série	PowerTrench
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	11 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	245 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Charge de Grille type @ Vgs	61 nC @ 10 V
Longueur	10.67mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Matériau du transistor	Si
Largeur	9.65mm
Hauteur	4.83mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 60 V, 3 broches

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