MOSFET et Diode canal N onsemi 60 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 NTB
- Code commande RS:
- 205-2495
- Référence fabricant:
- NTBS9D0N10MC
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 205-2495
- Référence fabricant:
- NTBS9D0N10MC
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | NTB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 68W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 23nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 14.6mm | |
| Largeur | 9.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série NTB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 68W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 23nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 14.6mm | ||
Largeur 9.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
On Semiconductor MOSFET 100 V à canal N unique utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille. Par conséquent, les avantages du système incluent un rendement plus élevé, une fréquence de fonctionnement faster, une plus grande densité de puissance, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.
La valeur nominale de courant de drain continu est de 60 A.
La résistance nominale de drain à source est de 9 mohm
Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
Performances de commutation optimisées
Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver
La plus faible QRR et la plus douce diode de corps de l'industrie pour un bruit faible supérieur Commutation
Bruit de commutation/IEM plus faible
Haut rendement avec pointe de commutation et IEM plus faibles
Le type de boîtier est D2PAK3
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