MOSFET Transistor & Diode onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 60 A 100 V, 3 broches

On Semiconductor MOSFET 100 V à canal N unique utilise une toute nouvelle technologie qui fournit des performances de commutation supérieures et une fiabilité supérieure par rapport au silicium. En outre, la faible résistance à l'état passant et la taille de puce compacte garantissent une faible capacité et une faible charge de grille. Par conséquent, les avantages du système incluent un rendement plus élevé, une fréquence de fonctionnement faster, une plus grande densité de puissance, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.

La valeur nominale de courant de drain continu est de 60 A.
La résistance nominale de drain à source est de 9 mohm
Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction
Performances de commutation optimisées
Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver
La plus faible QRR et la plus douce diode de corps de l'industrie pour un bruit faible supérieur Commutation
Bruit de commutation/IEM plus faible
Haut rendement avec pointe de commutation et IEM plus faibles
Le type de boîtier est D2PAK3