MOSFET N onsemi 14 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 FCB
- Code commande RS:
- 172-4630
- Référence fabricant:
- FCB199N65S3
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
25,96 €
HT
31,15 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 2,596 € | 25,96 € |
| 100 - 240 | 2,238 € | 22,38 € |
| 250 + | 1,94 € | 19,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 172-4630
- Référence fabricant:
- FCB199N65S3
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | FCB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 199mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 98W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série FCB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 199mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 98W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET SuperFET® III est la toute nouvelle gamme de transistors MOSFET haute tension Super Junction (SJ) de ON Semiconductor utilisant la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente faible résistance à l'état passant et une performance de charge de grille plus basse. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SuperFET III est parfaitement adapté pour divers systèmes d'alimentation en termes de miniaturisation et de rendement plus élevé.
700 V @ TJ = 150 °C
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Très faible charge de grille (typ. Qg = 30 nC)
Perte de commutation plus faible
Faible capacité de sortie effective (typ. Coss (eff.) = 277 pF)
Perte de commutation plus faible
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Résistance de grille interne : 7 ohms
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Typ. RDS(on) = 170 mΩ
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 14 A 650 V Enrichissement TO-263 FCB
- MOSFET N onsemi 30 A 650 V Enrichissement TO-263
- MOSFET N onsemi 36 A 650 V Enrichissement TO-263
- MOSFET N onsemi 70 A 650 V Enrichissement TO-263 NTB
- MOSFET N onsemi 20 A 650 V Enrichissement TO-263 AEC-Q101
- MOSFET N onsemi 24 A 650 V Enrichissement TO-263 AEC-Q101
- MOSFET N onsemi 40 A 650 V Enrichissement TO-263 AEC-Q101
- MOSFET et Diode N onsemi 24 A 650 V Enrichissement TO-263 SUPERFET III