MOSFET de puissance canal N onsemi 19 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SUPERFET III
- Code commande RS:
- 178-4243
- Référence fabricant:
- FCP165N65S3
- Marque:
- onsemi
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68,75 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,375 € | 68,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4243
- Référence fabricant:
- FCP165N65S3
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 19A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SUPERFET III | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 165mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 154W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS, Pb-Free, Halide Free | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Hauteur | 16.3mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 19A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SUPERFET III | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 165mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 154W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS, Pb-Free, Halide Free | ||
Largeur 4.7mm | ||
Hauteur 16.3mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 39 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 341 pF)
Internal Gate Resistance: 4.6 Ω
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 140 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Consumer
Industrial
End Products:
Notebook / Desktop computer
Game Console
Telecom / Server
LCD / LED TV
LED Lighting / Ballast
Adapter
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