MOSFET canal N onsemi 68 A 80 V Enrichissement, 8 broches, WDFN NTTFS6H850N
- Code commande RS:
- 178-4317
- Référence fabricant:
- NTTFS6H850NTAG
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
682,50 €
HT
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TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,455 € | 682,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4317
- Référence fabricant:
- NTTFS6H850NTAG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 68A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | NTTFS6H850N | |
| Type de Boitier | WDFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 107W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3.15mm | |
| Largeur | 3.15mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 750μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 68A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série NTTFS6H850N | ||
Type de Boitier WDFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 107W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3.15mm | ||
Largeur 3.15mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 750μm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET de puissance pour les applications commerciales dans un boîtier à câble plat 3 x 3 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques.
Caractéristiques
Faible résistance à état passant
Faible charge de grille
Encombrement réduit (3 x 3 mm)
Avantages
Réduit les pertes de conduction
Réduit les pertes de commutation
Conception compacte
Applications
Protection de batterie à polarité inversée
Commutateurs de puissance (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)
Rectification synchrone
Produits finis
Contrôle du moteur
Gestion de batterie
Alimentations à découpage
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