MOSFET canal N onsemi 68 A 80 V Enrichissement, 8 broches, WDFN NTTFS6H850N

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Code commande RS:
178-4439
Référence fabricant:
NTTFS6H850NTAG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

68A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

WDFN

Série

NTTFS6H850N

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

9.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

107W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

3.15mm

Hauteur

750μm

Normes/homologations

No

Longueur

3.15mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Transistor MOSFET de puissance pour les applications commerciales dans un boîtier à câble plat 3 x 3 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques.

Caractéristiques

Faible résistance à état passant

Faible charge de grille

Encombrement réduit (3 x 3 mm)

Avantages

Réduit les pertes de conduction

Réduit les pertes de commutation

Conception compacte

Applications

Protection de batterie à polarité inversée

Commutateurs de puissance (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)

Rectification synchrone

Produits finis

Contrôle du moteur

Gestion de batterie

Alimentations à découpage

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