MOSFET onsemi canal N, DFN 21 A 60 V, 5 broches
- Code commande RS:
- 178-4419
- Référence fabricant:
- NVMFS5C680NLT1G
- Marque:
- onsemi
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Prix pour l'unité (par multiple de 50)
0,738 €
HT
0,886 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
50 - 50 | 0,738 € | 36,90 € |
100 - 450 | 0,519 € | 25,95 € |
500 - 950 | 0,455 € | 22,75 € |
1000 - 1450 | 0,443 € | 22,15 € |
1500 + | 0,432 € | 21,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
Proposition de remplacement
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- Code commande RS:
- 178-4419
- Référence fabricant:
- NVMFS5C680NLT1G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- MY
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles dans un boîtier à câble plat 5 x 6 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques. Option de flanc mouillable disponible pour l'inspection visuelle améliorée. Adapté pour les applications automobiles.
Caractéristiques
Faible RDS(on)
Faibles QG et capacité de grille
Boîtier 5 x 6 mm standard
FOM (RDS(ON) x QG) de pointe
NVMFS5C680NLWF − Produit à flancs mouillables
Compatible PPAP
Avantages
Réduit les pertes de conduction
Réduit les pertes de commutation
Conception compacte et encombrement standard pour remplacement direct
Meilleur rendement, puissance dissipée réduite
Inspection optique améliorée
Applications
Protection de batterie à polarité inversée
Alimentation de puissance de commutation
Commutateurs de puissance (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)
Produits finis
Driver de solénoïde - ABS, injection de carburant
Commande du moteur - EPS, essuie-glaces, ventilateurs, sièges, etc.
Commutateur de charge - ECU, châssis, corps
Faible RDS(on)
Faibles QG et capacité de grille
Boîtier 5 x 6 mm standard
FOM (RDS(ON) x QG) de pointe
NVMFS5C680NLWF − Produit à flancs mouillables
Compatible PPAP
Avantages
Réduit les pertes de conduction
Réduit les pertes de commutation
Conception compacte et encombrement standard pour remplacement direct
Meilleur rendement, puissance dissipée réduite
Inspection optique améliorée
Applications
Protection de batterie à polarité inversée
Alimentation de puissance de commutation
Commutateurs de puissance (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)
Produits finis
Driver de solénoïde - ABS, injection de carburant
Commande du moteur - EPS, essuie-glaces, ventilateurs, sièges, etc.
Commutateur de charge - ECU, châssis, corps
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 21 A |
Tension Drain Source maximum | 60 V |
Type de boîtier | DFN |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 5 |
Résistance Drain Source maximum | 27,5 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.2V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V |
Dissipation de puissance maximum | 24 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | ±20 V |
Charge de Grille type @ Vgs | 5,8 nC @ 10 V |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 5.1mm |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Largeur | 6.1mm |
Tension directe de la diode | 1.2V |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.05mm |
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