MOSFET onsemi canal N, DFN 157 A 80 V, 5 broches

On Semiconductor DFN5 est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 80 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 2,8 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'un courant de drain continu maximum de 157A et d'une dissipation de puissance maximale de 166 W. La tension d'entraînement de ce transistor MOSFET est de 10 V. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Transistor MOSFET de puissance automobile
Conception compacte et efficace
Hautes performances thermiques
Sans plomb (Pb)
Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver
Faible RDS (activé) pour minimiser les pertes de conduction
• Minimise les pertes de conducteur
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Option de flanc mouillable disponible pour une inspection optique améliorée

• Convertisseur c.c.-c.c.
Commutateur de charge
• Commande de moteur
• Commutateurs d'alimentation (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)
• Alimentations de commutation

AEC-Q101
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007