MOSFET canal N onsemi 30 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 NTHL
- Code commande RS:
- 178-4486
- Référence fabricant:
- NTHL110N65S3F
- Marque:
- onsemi
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- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | NTHL | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 110mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 240W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 58nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Largeur | 4.82mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série NTHL | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 110mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 240W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 58nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.87mm | ||
Largeur 4.82mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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