MOSFET canal N onsemi 36 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 NTHL
- Code commande RS:
- 189-0255
- Référence fabricant:
- NTHL095N65S3HF
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
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- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 36A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | NTHL | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 95mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 272W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 66nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.82mm | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 36A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série NTHL | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 95mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 272W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 66nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.82mm | ||
Longueur 15.87mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension d'ON Semiconductor qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SUPERFET III est très adapté aux différents systèmes d'alimentation pour la miniaturisation et un rendement plus élevé. Les performances de récupération inverse optimisées du transistor MOSFET FRFET SUPERFET III de la diode de corps peuvent éliminer des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système.
700 V @ TJ = 150 °C
Très faible charge de grille (typ. QG = 66 nC)
Faible capacité de sortie effective (typ. COSS(eff.) = 569 pF)
Excellentes performances de la diode à corps (faible Qrr, diode à corps robuste)
Capacité optimisée
Typ. RDS(on) = 78 mΩ
Avantages
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
Plus grande fiabilité du système dans le circuit de pont complet à décalage déphasé et LLC
Perte de commutation plus faible
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Applications
Télécommunication
Système Cloud
Industriel
Produits finis
Alimentation de télécommunication
Alimentation de serveur
Chargeur de véhicule électrique
Solaire/onduleur
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