MOSFET onsemi canal N, PQFN8 22 A 80 V, 8 broches

Ce transistor MOSFET MV à canal N est produit à l'aide du procédé PowerTrench® avancé de Fairchild Semiconductor, qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant la diode de corps progressive haut de gamme

Technologie MOSFET à grille blindée
RDS(ON) max. = 6,8 mΩ à VGS = 10 V, ID = 21 A
RDS(ON) max. = 11,1 mΩ à VGS = 4,5 V, ID = 17 A
Commande 5 V possible
Qrr 50 % plus faible que les autres fournisseurs de MOSFET
Bruit de commutation/IEM plus faible
Conception de boîtier robuste MSL1


Boîtier compatible avec le double refroidissement
Applications
Transistor MOSFET c.c.-c.c. principal
Redresseur synchrone en c.c.-c.c. et c.a.-c.c.
Entraînement de moteur
Solaire