MOSFET N onsemi 83 A 40 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 AEC-Q101

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Code commande RS:
178-4640
Référence fabricant:
NVD5C454NT4G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

83A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

4.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

56W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

32nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.25mm

Largeur

6.22mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
VN
Transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles dans un boîtier DPAK conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques. Adapté pour les applications automobiles.

Caractéristiques

Faible résistance à l'état passant

Capacité de courant élevé

Compatible PPAP

Avantages

Pertes de conduction minimes

Bonnes performances de charge

Protection contre les surcharges de tension

Applications

Driver Low Side

Driver High Side

Entraînement de moteur

Produits finis

Transmission automobile

Moteurs de climatisation automobile

Pompes de pression ABS

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