MOSFET Microchip canal N, , SOT-23 330 mA 9 V, 5 broches
- Code commande RS:
- 178-5338
- Référence fabricant:
- LND01K1-G
- Marque:
- Microchip
Voir la catégorie
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,325 €
HT
0,39 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
3000 + | 0,325 € | 975,00 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 178-5338
- Référence fabricant:
- LND01K1-G
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistors MOSFET canal N LND01
Le Microchip LND01 est un transistor MOSFET à seuil bas et mode d'appauvrissement (normalement ouvert). La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.
Caractéristiques
Bidirectionnelle
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Impédance d'entrée et gain élevés
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Impédance d'entrée et gain élevés
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Transistors MOSFET, Microchip
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 330 mA |
Tension Drain Source maximum | 9 V |
Type de boîtier | SOT-23 |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 5 |
Résistance Drain Source maximum | 1,4 Ω |
Mode de canal | Depletion |
Dissipation de puissance maximum | 360 mW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -12 V, +0,6 V |
Température d'utilisation maximum | +125 °C |
Matériau du transistor | Si |
Longueur | 3.05mm |
Largeur | 1.75mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Hauteur | 1.3mm |
Température de fonctionnement minimum | -25 °C |