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    MOSFET Microchip canal N, , SOT-23 330 mA 9 V, 5 broches

    Code commande RS:
    178-5338
    Référence fabricant:
    LND01K1-G
    Marque:
    Microchip
    Microchip
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    En cours d'approvisionnement
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    Prix pour l'unité (en bobine de 3000)

    0,325 €

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    0,39 €

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    UnitéPrix par unitéla bobine*
    3000 +0,325 €975,00 €
    *Prix donné à titre indicatif
    Code commande RS:
    178-5338
    Référence fabricant:
    LND01K1-G
    Marque:
    Microchip

    Documentation technique


    Législation et Conformité


    Détail produit

    Transistors MOSFET canal N LND01


    Le Microchip LND01 est un transistor MOSFET à seuil bas et mode d'appauvrissement (normalement ouvert). La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.

    Caractéristiques


    Bidirectionnelle
    Faible résistance à état passant
    Faible capacité d'entrée
    Vitesses de commutation rapides
    Impédance d'entrée et gain élevés
    Faible puissance d'entraînement requise
    Fonctionnement parallèle aisé


    Transistors MOSFET, Microchip

    Caractéristiques techniques

    AttributValeur
    Type de canalN
    Courant continu de Drain maximum330 mA
    Tension Drain Source maximum9 V
    Type de boîtierSOT-23
    Type de montageCMS
    Nombre de broches5
    Résistance Drain Source maximum1,4 Ω
    Mode de canalDepletion
    Dissipation de puissance maximum360 mW
    Configuration du transistorSimple
    Tension Grille Source maximum-12 V, +0,6 V
    Température d'utilisation maximum+125 °C
    Matériau du transistorSi
    Longueur3.05mm
    Largeur1.75mm
    Nombre d'éléments par circuit1
    Hauteur1.3mm
    Température de fonctionnement minimum-25 °C
    En cours d'approvisionnement
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    Prix pour l'unité (en bobine de 3000)

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