MOSFET Microchip canal N, SOT-23 100 V

Le transistor MOSFET à canal P de Microchip à faible seuil, en mode d'amélioration (normalement hors tension) utilise une structure DMOS verticale et un processus de fabrication à porte en silicium éprouvé. Cette combinaison produit un circuit avec des capacités de gestion de la puissance de transistors bipolaires et avec la haute impédance d'entrée et le coefficient de température positif inhérents aux circuits MOS. Caractéristique de toutes les structures MOS, ce dispositif n'est pas soumis à l'emballement thermique ou à la coupure auxiliaire causée par la chaleur. Les transistors FET DMOS verticaux sont parfaitement adaptés à une large gamme d'applications de commutation et d'amplification, dans lesquelles une très basse tension de seuil, une haute tension de coupure, une forte impédance d'entrée, une faible capacité d'entrée et des commutations rapides sont souhaitées.

Sans coupure secondaire
Faible consommation d'entraînement requise
Simplicité de mise en parallèle
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Impédance d'entrée élevée et gain élevé