MOSFET canal N Simple Vishay 47 A 650 V, TO-247AC E Non
- Code commande RS:
- 180-7345
- Référence fabricant:
- SIHG47N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7345
- Référence fabricant:
- SIHG47N65E-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 47A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | TO-247AC | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.072Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 273nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 417W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 47A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série E | ||
Type de Boitier TO-247AC | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.072Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 273nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 417W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET TO-247AC-3 à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 650 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 72 mm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 415 W et d'un courant de drain continu de 47 A. Il est doté d'une tension d'entraînement de 10 V. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Ron x Qg à faible valeur de mérite (FOM)
• Faible capacité d'entrée (Ciss)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• Pertes de commutation et de conduction réduites
Charge de grille ultra-faible (Qg)
Applications
• Chargeurs de batterie
• Eclairage de ballast fluorescent
Décharge haute intensité (HID)
• Entraînements de moteur
Alimentations à correction du facteur de puissance (PFC)
• Energie renouvelable
• alimentations de serveur et de télécommunication
Inverseurs PV solaires
Alimentations à découpage (SMPS)
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
Testé par l'ISU
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