MOSFET Vishay canal N, TO-236 200 mA 240 V, 3 broches

Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 240 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 4 ohms à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'une dissipation de puissance maximale de 360 mW et d'un courant de drain continu de 200 mA. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor MOSFET est de 2,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• facilement piloté sans mémoire tampon
• Excellente stabilité thermique
Fonctionnement en pleine tension
• Faible tension d'erreur
• Faible fuite d'entrée et de sortie
Faible tension d'offset
Faible résistance : 4 ohms
• Faible puissance/tension
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
• Isolation secondaire : 260 V.

Drivers haute tension : relais, solénoïdes, lampes, marteaux, affichages, Transistors, etc.
• Commande de moteur
Alimentation, convertisseurs
• Commutateurs de mise en sourdine de téléphone, circuits de sonnerie

AEC-Q101
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
• testé Rg
Testé par l'ISU