MOSFET onsemi canal N, A-220 76 A 100 V, 3 broches

Code commande RS:: 181-1860
Référence fabricant:: FDP8D5N10C
Marque:: onsemi

MOSFET onsemi canal N, A-220 76 A 100 V, 3 broches

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Prix pour l'unité (en tube de 800)

1,29 €

1,55 €

Unité	Prix par unité	le tube*
800 - 800	1,29 €	1 032,00 €
1600 - 2400	1,256 €	1 004,80 €
3200 - 4800	1,224 €	979,20 €
5600 +	1,193 €	954,40 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 181-1860
Référence fabricant:: FDP8D5N10C
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Ce transistor MOSFET MV à canal N est produit à l'aide du procédé PowerTrench® avancé d'ON Semiconductor, qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation avec une diode de corps progressive haut de gamme.

RDS(on) max. = 8,5 mΩ à VGS = 10 V, ID = 76 A.
Densité de puissance et densité de puissance de grille blindée et porte blindée haut rendement/hautes performances
Technologie de tranchée hautes performances pour un RDS(ON) très faible
Forte densité de puissance avec la technologie de grille blindée
Très faible charge de recouvrement inverse, Qrr
Fonction de snubber interne des pics faible Vds.
Faible charge de grille, QG = 25 nC (typ.)
Faible perte de commutation
Puissance élevée et capacité de gestion de courant
Faible Qrr/Trr
Comportement de récupération souple
Redressement synchrone pour ATX/serveur/poste de travail/PSU/adaptateur et alimentations industrielles.
Entraînements de moteur et alimentations in-interruptibles
Micro-onduleur solaire
Serveur
Télécommunications
Informatique (ATX, poste de travail, adaptateur, alimentations industrielles etc.)
Entraînement de moteur
Alimentations in-interruptibles
Inverseur solaire

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	76 A
Tension Drain Source maximum	100 V
Type de boîtier	A-220
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	8,5 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	107 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	4.67mm
Charge de Grille type @ Vgs	25 nC @ 10 V
Longueur	10.36mm
Tension directe de la diode	1.3V
Hauteur	15.21mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

MOSFET onsemi canal N, A-220 76 A 100 V, 3 broches

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