MOSFET onsemi canal N, A-220 128 A 100 V, 3 broches

Ce transistor MOSFET MV à canal N est produit à l'aide du procédé PowerTrench® avancé d'ON Semiconductor, qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation avec une diode de corps progressive haut de gamme.

RDS(on) max. = 4,5 mΩ à VGS = 10 V, ID = 128 A.
Densité de puissance et densité de puissance de grille blindée et porte blindée haut rendement/hautes performances
Technologie de tranchée hautes performances pour un RDS(ON) très faible
Forte densité de puissance avec la technologie de grille blindée
Très faible charge de recouvrement inverse, Qrr
Fonction de snubber interne des pics faible Vds.
Faible charge de grille, QG = 48 nC (typ.)
Faible perte de commutation
Puissance élevée et capacité de gestion de courant
Faible Qrr/Trr
Comportement de récupération souple
Redressement synchrone pour ATX/serveur/poste de travail/PSU/adaptateur et alimentations industrielles.
Entraînements de moteur et alimentations in-interruptibles
Micro-onduleur solaire
Serveur
Télécommunications
Informatique (ATX, poste de travail, adaptateur, alimentations industrielles etc.)
Entraînement de moteur
Alimentations in-interruptibles
Inverseur solaire