MOSFET canal N onsemi 139 A 150 V N, 3 broches, TO-220 PowerTrench
- Code commande RS:
- 205-2458
- Référence fabricant:
- NTP5D0N15MC
- Marque:
- onsemi
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2 324,00 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,905 € | 2 324,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 205-2458
- Référence fabricant:
- NTP5D0N15MC
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 139A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 75nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 214W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 9.66mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.66mm | |
| Longueur | 27.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 139A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série PowerTrench | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 75nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 214W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 9.66mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.66mm | ||
Longueur 27.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET on Semiconductor à tranchée de puissance à canal N à grille blindée est doté d'une tension nominale de drain à source de 150 V et d'une intensité nominale de drain continu de 139A. Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS.
La résistance de drain à source est de 5 mohm
QRR 50 % plus faible que les autres fournisseurs de MOSFET
Bruit de commutation/IEM plus faible
Testé à 100 % UIL
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