MOSFET P DiodesZetex 5.7 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMP
- Code commande RS:
- 182-7204
- Référence fabricant:
- DMP6050SPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 182-7204
- Référence fabricant:
- DMP6050SPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060 | |
| Série | DMP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 70mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.4W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerDI5060 | ||
Série DMP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 70mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.4W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Longueur 6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET de nouvelle génération à canal P à mode d'enrichissement de 60 V est conçu pour minimiser la RDS(ON) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation. Ce circuit est idéal pour une utilisation dans les applications de gestion de batterie et de charge des ordinateurs portables.
Boîtier à haut rendement thermique - Applications à plus faible température
Rendement de conversion élevé
Faible RDS(ON) - Minimise les pertes à l'état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Finition sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Applications
Gestion de l'alimentation pour ordinateur portable
Convertisseurs c.c.-c.c.
Commutateur en charge
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P DiodesZetex 5.7 A 60 V Enrichissement PowerDI5060 DMP
- MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement PowerDI5060-8 DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 150 A 20 V Enrichissement PowerDI5060 DMP AEC-Q100 AEC-Q200
- MOSFET P DiodesZetex 21 A 30 V Enrichissement PowerDI5060 DMP AEC-Q101 AEC-Q100
- MOSFET P DiodesZetex 37 A 30 V Enrichissement PowerDI5060 DMP32
- MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 70 A 30 V Enrichissement PowerDI3333 DMP
- MOSFET P DiodesZetex 90 A 30 V Enrichissement DI5060 DMP
Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités
Votre adresse e-mail
En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.