MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, PowerDI5060-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
254-8629
Référence fabricant:
DMP3011SPSW-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

PowerDI5060-8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET en mode d'amélioration de canal P DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les convertisseurs c.c./c.c.

Faible résistance à l'état passant Faible capacité d'entrée Sans halogène ni antimoine

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