MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, PowerDI5060-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
254-8628
Référence fabricant:
DMP3011SPSW-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

PowerDI5060-8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET en mode d'amélioration de canal P DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les convertisseurs c.c./c.c.

Faible résistance à l'état passant Faible capacité d'entrée Sans halogène ni antimoine

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