MOSFET DiodesZetex canal P, PowerDI5060-8 9 A 30 V, 8 broches

DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il possède un excellent produit Qgd xRDS(ON) (FOM) et une technologie avancée pour la conversion c.c.-c.c..

La tension maximale drain-source est de 30 V. La tension maximale de la grille à la source est de ±20 V. Il offre un boîtier de petite taille, efficace sur le plan thermique et permettant des produits finaux de plus haute densité. Il n'occupe que 33 % de la surface de la carte occupée par le SO-8, ce qui permet de fabriquer des produits finis plus petits.