MOSFET P DiodesZetex 50 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-7539
- Référence fabricant:
- DMPH4015SPSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,78 € | 8,90 € |
| 50 - 95 | 1,592 € | 7,96 € |
| 100 - 245 | 1,256 € | 6,28 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-7539
- Référence fabricant:
- DMPH4015SPSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.014Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerDI5060-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.014Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal P en mode enrichissement, conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier PowerDI 5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il est classé jusqu'à +175 °C et est idéal pour les environnements à température ambiante élevée.
La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de ±25 V. Il offre une faible résistance à l'état passant et possède un indice BVDSS élevé pour les applications de puissance. Il offre une faible capacitance d'entrée.
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