Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	2,4 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	110 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.4V
Tension de seuil minimale de la grille	0.6V
Dissipation de puissance maximum	480 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±12 V
Charge de Grille type @ Vgs	4,76 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	3.04mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.4mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.01mm
Tension directe de la diode	1V

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	2,4 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	110 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.4V
Tension de seuil minimale de la grille	0.6V
Dissipation de puissance maximum	480 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±12 V
Charge de Grille type @ Vgs	4,76 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	3.04mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.4mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.01mm
Tension directe de la diode	1V

MOSFET onsemi canal N, SOT-23 2,4 A 30 V, 3 broches

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