MOSFET canal Type N onsemi 2.4 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 Non

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Code commande RS:
184-1067
Référence fabricant:
NTR4170NT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

2.4A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.76nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

12 V

Dissipation de puissance maximum Pd

480mW

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.4 mm

Hauteur

1.01mm

Longueur

3.04mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Il s'agit d'un transistor MOSFET de puissance à canal N de 30 V.

Faible RDS(on) pour réduire la perte de conduction

Faible charge de grille

Faibles niveaux de seuil

Applications :

Convertisseurs de puissance pour les ordinateurs portables

Gestion de batterie

Commutateur de charge/alimentation

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