MOSFET ON Semiconductor canal N, SOT-23 2,4 A 30 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 184-1305
- Référence fabricant:
- NTR4170NT1G
- Marque:
- onsemi
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| Paquet(s) | le paquet | Prix par unité* |
| 1 - 9 | 21,00 € | 0,21 € |
| 10 - 29 | 16,39 € | 0,164 € |
| 30 + | 14,19 € | 0,142 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 184-1305
- Référence fabricant:
- NTR4170NT1G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor
Il s'agit d'un transistor MOSFET de puissance à canal N de 30 V.
Faible RDS(on) pour réduire la perte de conduction
Faible charge de grille
Faibles niveaux de seuil
Applications :
Convertisseurs de puissance pour les ordinateurs portables
Gestion de batterie
Commutateur de charge/alimentation
Faible charge de grille
Faibles niveaux de seuil
Applications :
Convertisseurs de puissance pour les ordinateurs portables
Gestion de batterie
Commutateur de charge/alimentation
Transistors MOSFET, ON Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 2,4 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 110 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 1.4V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.6V |
| Dissipation de puissance maximum | 480 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±12 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 1.4mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 4,76 nC @ 4,5 V |
| Longueur | 3.04mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Tension directe de la diode | 1V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.01mm |
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