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MOSFET canal N onsemi 1.9 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 FDN357N

Code commande RS:: 671-0441
Référence fabricant:: FDN357N
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 1.9 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 FDN357N

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500 - 995	0,326 €	1,63 €
1000 +	0,298 €	1,49 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 671-0441
Référence fabricant:: FDN357N
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	1.9A
	Tension Drain Source maximum Vds	30V
	Type de Boitier	SOT-23
	Série	FDN357N
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	600mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd	500mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	4.2nC
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	2.92mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.4mm
	Hauteur	940μm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 1.9A
	Tension Drain Source maximum Vds 30V
	Type de Boitier SOT-23
	Série FDN357N
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.2V
	Dissipation de puissance maximum Pd 500mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.2nC
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 2.92mm
	Normes/homologations No
	Largeur 1.4mm
	Hauteur 940μm
	Standard automobile Non

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3- SuperSOT

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

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