MOSFET N onsemi 1.9 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 FDN357N

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

405,00 €

HT

486,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 15 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,135 €405,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
166-1718
Référence fabricant:
FDN357N
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1.9A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

FDN357N

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.2nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

500mW

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

0.94mm

Normes/homologations

No

Longueur

2.92mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor


Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi


On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Nos clients ont également consulté