MOSFET canal N Nexperia 1.9 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 BSH108

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Code commande RS:
124-2287
Référence fabricant:
BSH108,215
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1.9A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

BSH108

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

830mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.5V

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.4nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Longueur

3mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

MOSFET N-Channel, jusqu'à 30 V.


Transistors MOSFET, NXP Semiconductors


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