MOSFET canal N Nexperia 1.9 A 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 PMV213SN
- Code commande RS:
- 146-0466
- Référence fabricant:
- PMV213SN,215
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
393,00 €
HT
471,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,131 € | 393,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 146-0466
- Référence fabricant:
- PMV213SN,215
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | PMV213SN | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 1.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série PMV213SN | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 1.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET canal N, 100 V et plus, Nexperia
Transistors MOSFET, NXP Semiconductors
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Nexperia 1.9 A 100 V Enrichissement SOT-23 PMV213SN
- MOSFET canal N Nexperia 1.9 A 30 V Enrichissement SOT-23 BSH108
- MOSFET canal N Nexperia 300 mA 60 V Enrichissement SOT-23 NX7002AK
- MOSFET canal N Nexperia 360 mA 60 V Enrichissement SOT-23 BSS138BK
- MOSFET canal N Nexperia 360 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002P
- MOSFET P Nexperia 3.9 A 20 V Enrichissement SOT-23
- MOSFET canal N Nexperia 350 mA 60 V Enrichissement SOT-23 2N7002BK AEC-Q101
- MOSFET canal N Nexperia 400 mA 30 V Enrichissement SOT-23 NX3008NBK AEC-Q101