Références fabricant

MOSFET canal N Nexperia 360 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002P

Code commande RS:: 792-0765
Référence fabricant:: 2N7002P,215
Marque:: Nexperia

MOSFET canal N Nexperia 360 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 2N7002P

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Code commande RS:: 792-0765
Référence fabricant:: 2N7002P,215
Marque:: Nexperia

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	360mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	2N7002P
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.6Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	420mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.6nC
	Tension directe Vf	1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	1.4mm
	Longueur	3mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	1mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 360mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série 2N7002P
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.6Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 420mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.6nC
	Tension directe Vf 1V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 1.4mm
	Longueur 3mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 1mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia

Transistors MOSFET, NXP Semiconductors

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