MOSFET canal N onsemi 2.1 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 MGSF1 AEC-Q101

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Code commande RS:
163-0633
Référence fabricant:
MGSF1N03LT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

2.1A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

MGSF1

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

145mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6nC

Tension directe Vf

800mV

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

690mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

1.4mm

Longueur

3.04mm

Hauteur

1.01mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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